| ISBN/价格： | 978-7-111-77736-6:CNY129.00 |
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| 作品语种： | chi ita |
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| 出版国别： | CN 110000 |
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| 题名责任者项： | 半导体存储与系统/.(意) 安德烈·雷达利, 法比奥·佩利泽等著/.霍宗亮 ... [等] 译 |
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| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025.04 |
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| 载体形态项： | 12, 279页:;+图 (部分彩图):;+24cm |
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| 丛编项： | 集成电路科学与工程丛书 |
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| 相关题名附注： | 原文题名取自封面 |
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| 提要文摘： | 本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后, 本书重点介绍了各种主流技术, 详述了它们的现状、挑战和机遇, 并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器 (SRAM)、动态随机存取存储器 (DRAM)、非易失性存储器 (NVM) 和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器以及存储级内存 (SCM) 的各项必备条件和系统级需求。每一章都涵盖了物理运行机制、制造技术和可微缩性的主要挑战因素。最后, 本书回顾了SCM的新兴趋势, 主要关注基于相变的存储技术的优势和机遇。 |
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| 并列题名： | Semiconductor memories and systems eng |
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| 题名主题： | 半导体器件 |
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| 中图分类： | TN303 |
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| 个人名称等同： | 雷达利 著 |
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| 个人名称等同： | 佩利泽 著 |
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| 个人名称次要： | 霍宗亮 译 |
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| 记录来源： | CN 人天书店 20250424 |
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| 记录来源： | CN 241280 20250625 |
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