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碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术
| ISBN/价格： | 978-7-111-77893-6:CNY149.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 碳化硅功率器件/.高远, 张岩编著 |
| 版本项： | 第2版 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025.04 |
| 载体形态项： | XIX, 536页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 电力电子新技术系列图书 |
| 相关题名附注： | 英文题名取自封面 |
| 提要文摘： | 本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果, 详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章, 内容涵盖功率半导体器件基础, SiC二极管的主要特性, SiCMOSFET的主要特性, SiC器件与Si器件特性对比, 双脉冲测试技术, SiC器件的测试、分析和评估技术, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对 —— 串扰, 高dv/dt影响与应对 —— 共模电流, 共源极电感影响与应对, 驱动电路, SiC器件的主要应用。 |
| 并列题名： | Silicon Carbide power semiconductor devices:characteristics, testing and applications eng |
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 高远 编著 |
| 个人名称等同： | 张岩 编著 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20250428 |
| 记录来源： | CN 241280 20250626 |