| ISBN/价格： | 978-7-111-76654-4:CNY119.00 |
|---|
| 作品语种： | chi jpn ita |
|---|
| 出版国别： | CN 110000 |
|---|
| 题名责任者项： | 碳化硅功率模块设计/.(日) 阿尔贝托·卡斯特拉齐, (意) 安德里亚·伊拉斯等著/.曾正 ... [等] 译 |
|---|
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2024.12 |
|---|
| 载体形态项： | 247页:;+图 (部分彩图):;+24cm |
|---|
| 丛编项： | 集成电路科学与工程丛书 |
|---|
| 相关题名附注： | 英文题名取自封面 |
|---|
| 提要文摘： | 本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案, 主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。 |
|---|
| 并列题名： | SiC power module design performance, robustness and reliability eng |
|---|
| 题名主题： | 功率半导体器件 |
|---|
| 中图分类： | TN303 |
|---|
| 个人名称等同： | 卡斯特拉齐 著 |
|---|
| 个人名称等同： | 伊拉斯 著 |
|---|
| 个人名称次要： | 曾正 译 |
|---|
| 记录来源： | CN 人天书店 20241211 |
|---|
| 记录来源： | CN 241280 20250626 |
|---|