ISBN/价格: | 978-7-111-76654-4:CNY119.00 |
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作品语种: | chi jpn ita |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 碳化硅功率模块设计/.(日) 阿尔贝托·卡斯特拉齐, (意) 安德里亚·伊拉斯等著/.曾正 ... [等] 译 |
出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2024.12 |
载体形态项: | 247页:;+图 (部分彩图):;+24cm |
丛编项: | 集成电路科学与工程丛书 |
相关题名附注: | 英文题名取自封面 |
提要文摘: | 本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案, 主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。 |
并列题名: | SiC power module design performance, robustness and reliability eng |
题名主题: | 功率半导体器件 |
中图分类: | TN303 |
个人名称等同: | 卡斯特拉齐 著 |
个人名称等同: | 伊拉斯 著 |
个人名称次要: | 曾正 译 |
记录来源: | CN 人天书店 20241211 |
记录来源: | CN 241280 20250626 |