ISBN/价格: | 978-7-111-76455-7:CNY168.00 |
作品语种: | chi eng |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 氮化镓电子器件热管理/.(美) 马尔科·J. 塔德尔, 特拉维斯·J. 安德森主编/.Marko J. Tadjer, Travis J. Anderson/.来萍 ... [等] 译 |
出版发行项: | 北京:,机械工业出版社:,2025.01 |
载体形态项: | XIV, 415页:;+彩图:;+24cm |
丛编项: | 先进半导体产业关键技术丛书 |
一般附注: | 机工电子 |
提要文摘: | 本书具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓 (GaN) 及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaN HEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaN HEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术 —— 栅电阻测温法、超晶格城堡形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法、热匹配QST衬底技术、用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜、金刚石基氮化镓材料及器件技术综述、金刚石与氮化镓的三维集成、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。 |
题名主题: | 氮化镓 电力半导体器件 传热学 |
中图分类: | TN303 |
个人名称等同: | 塔德尔 主编 |
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个人名称等同: | 安德森 主编 |
个人名称次要: | 来萍 译 |
记录来源: | CN 人天书店 20250220 |
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记录来源: | CN 241280 20250625 |