书目详细信息
： 硅基氮化镓外延材料与芯片
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-03-080958-2:CNY158.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 硅基氮化镓外延材料与芯片/.李国强著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,2025.01 |
| 载体形态项： | xi, 263页:;+图:;+25cm |
| 丛编项： | 半导体科学与技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书共8章。其中, 第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义, 着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料生长机理出发, 依次介绍了GaN薄膜、GaN量子点、GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3-7章依次介绍了Si基GaNLED芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术, 并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势。第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。 |
| 题名主题： | 硅基材料 氮化镓 芯片 |
| 中图分类： | TN304.2 |
| 中图分类： | TN43 |
| 个人名称等同： | 李国强 著 |
| 记录来源： | CN 人天书店 20250321 |
| 记录来源： | CN 241280 20250626 |